像素单元以及阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种像素单元以及阵列基板。
【背景技术】
[0002]伴随着液晶lcd以及有机发光二极管oled为代表的平板显示器向着大尺寸、高分辨率的方向发展，薄膜晶体管tft作为平板显示行业的核心部件，也得到广泛的关注。现有技术中常用的薄膜晶体管包括非晶硅薄膜晶体管以及氧化物薄膜晶体管，由于氧化物薄膜晶体管具有载流子迀移率高的优势，在导入时无需大幅改变现有的液晶面板生产线等优势，而得到了广泛应用。
[0003]在液晶显示器得到广泛应用的同时，用户对液晶显示画面的解析度要求也越来越高，为了保证显示过程中高要求的解析度，要求液晶显示器在显示时tft具有充足的电位，因此，在显示器的制备过程中，会在像素单元中设置存储电容，来保证电位。
[0004]然而，由于存储电容一般是由金属电极夹置绝缘层而制成，由于金属不透光，会造成显示器开口率的降低，影响了显示效果。
【发明内容】
[0005]本发明主要解决的技术问题是提供一种像素单元以及阵列基板，能够在保证液晶显示装置解析度的前提下，有效提高液晶显示装置的开口率。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种像素单元，所述像素单元包括:薄膜晶体管tft以及与所述tft漏极连接的存储电容，所述存储电容包括相对设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层相对所述第二金属层的一面设置有凹凸图案。
[0007]其中，所述凹凸图案是通过在所述第一金属层的表面设置凹槽而形成。
[0008]其中，所述凹凸图案是通过压印、激光加工以及光刻中的至少一种方式对所述第一金属层进行处理而形成。
[0009]其中，所述凹凸图案的类型包括网格结构。
[0010]其中，所述第一金属层与所述第二金属层之间填充有绝缘层。
[0011]其中，所述像素单元还包括像素电极，所述像素电极与所述存储电容并联。
[0012]其中，所述薄膜晶体管tft为氧化物薄膜晶体管。
[0013]为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板，所述阵列基板包括由多条两两交叉且不相交的扫描线和数据线所组成的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管tft以及与所述tft漏极连接的存储电容，所述存储电容包括相对设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层相对所述第二金属层的一面设置有凹凸图案。
[0014]其中，所述凹凸图案是通过在所述第一金属层的表面设置凹槽而形成。
[0015]其中，所述凹凸图案是通过压印、激光加工以及光刻中的至少一种方式对所述第一金属层进行处理而形成。
[0016]本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况，本实施方式的像素单元包括薄膜晶体管tft以及与薄膜晶体管tft电连接的存储电容，该存储电容包括相对设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层相对所述第二金属层的一面设置有凹凸图案。通过在第一金属层的表现形成凹凸图案，增大了存储电容两端的第一金属层与第二金属层的正对面积，进一步增大了存储电容的容量，因此，能够在不改变甚至增大存储电容容量的前提下，减小存储电容的物理大小，提高了液晶显示器的开口率，进一步改善了液晶显示器的显示画面。
【附图说明】
[0017]图1是本发明像素单元一实施方式的剖面结构示意图；
[0018]图2是本发明存储电容一实施方式的结构示意图；
[0019]图3是本发明存储电容的第一金属层一实施方式的俯视示意图；
[0020]图4是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]参阅图1，图1是本发明像素单元一实施方式的剖面结构示意图。如图1所示，本实施方式的像素单元包括薄膜晶体管tftlol以及与所述薄膜晶体管tft电连接的存储电容102，其中，该存储电容102包括相对设置的第一金属层1021以及第二金属层1022，该薄膜晶体管tftlol包括氧化物薄膜晶体管，还可以为其他类型的晶体管，只要能起到开关作用即可，在此不做限定。
[0022]如图1所示，薄膜晶体管tft101包括设置在玻璃基板上1011上的栅极1012，栅极1012上形成的有绝缘层1013、设置在绝缘层1013上方的有源层1014、还包括分隔在该有源层1014的两端，以一沟道分开并暴露部分有源层1014的源极1015以及漏极1016。在像素电极的表面还设置有钝化层1017以及平坦层1018，还设置有触控电极1019以电连接该存储电容 102。
[0023]进一步地，所述像素单元还包括像素电极(图中未示出)，像素电极与存储电容通过触控电极电连接在薄膜晶体管tft 101的漏极1016上，该薄膜晶体管tft 101的栅极1012电连接在扫描线上，该扫描线为tft 101提薄膜晶体管供控制信号，薄膜晶体管tft 101的源极1015电连接在数据线上，该数据线为该像素单元提供数据驱动信号。具体地，在该薄膜晶体管tft 101接通电信号时，在为像素电极提供工作电压的同时，也为该存储电容102提供充电电压，该存储电容将该电荷进行存储，以补充在该薄膜晶体管tft 1i断开时像素电极所需要的电位。
[0024]为了给像素电极提供足够的电压，进一步地，第一金属层1021相对于第二金属层1022的一面设置有凹凸图案。具体地，如图2所示，图2为图1中存储电容102的细化结构示意图，第一金属层201相对第二金属层202的表面设置有凹凸图案2011。
[0025]另外，在第一金属层201与第二金属层202之间还夹置有绝缘层203，，该绝缘层203包括无机氧化物，如二氧化硅，也可以为其他绝缘物质，在此不做限定。
[0026]具体地，当在第一金属层201的表面设置了起伏不平的凹凸图案，能够有效增大形成存储电容电极的相对正对面积，根据电容容量公式c = ε s/(4kjid)，其中，ε、κ、ji均为常数，s为第一金属层401和第二金属层402的正对面积，d为第一金属层201和第二金属层202的相对距离，在相对距离d保持不变的条件下，正对面积s越大，存储电容的容量就越大。
[0027]因此，第一金属层201的表面设置起伏不平的凹凸图案，通过增大第一金属层201和第二金属层202的正对面积，在不改变原有薄膜晶体管的存储电容体积的前提下，增大存储电容的容量。
[0028]另外，还可以通过在以上述方式增加存储电容容量的基础上，减小存储电容的所占位置，增大液晶显示装置的开口率。
[0029]其中，该凹凸图案可通过压印、激光加工或者光刻中的至少一种工艺对第一金属层进行处理，以在第一金属层201的表面形成起伏的凹槽，从而形成不同形状的凹凸图案，增加第一金属层201的表面积。
[0030]其中，压印工艺是将板料放在上、下模之间，在压力作用下使其材料厚度发生变化，并将挤压外的材料，充塞在有起伏细纹的模具形腔凸、凹处，而在工件表面得到形成起伏鼓凸及字样或花纹的一种成形方法。激光加工是通过激光在第一金属层表面雕刻各种凹凸图案。光刻工艺是指在第一金属层的表面将特定部分除去，以在第一金属层上留下凸凹不平的图案的工艺。应用到本实施方式中，只要能在第一金属层201的表面形成高低起伏的凹凸图案，在此不做限定。
[0031]所述凹凸图案的具体呈现形式不做限定，如网格