电光装置、电光装置的制造方法及电子设备的制造方法-k8凯发

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电光装置、电光装置的制造方法及电子设备的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种电光装置、电光装置的制造方法及电子设备,在电光装置中,形成于元件基板上的镜由框状的隔离片和连续在隔离片上的板状的透光罩而密封。在隔离片的外表面和透光罩的侧面上形成有无机阻挡层,由该无机阻挡层覆盖隔离片与透光罩的边界。
【专利说明】
电光装置、电光装置的制造方法及电子设备
技术领域
[0001]本发明涉及一种具备镜的电光装置、电光装置的制造方法及电子设备。
【背景技术】
[0002]作为电子设备,已知有投影型显示装置等,所述投影型显示装置例如将从光源所发射出的光由被称为dmd(数字微镜器件)的电光装置的多个镜(微镜)调制之后将调制光由投影光学系统放大投影,从而将图像显示在屏幕上。如图16所示,使用所涉及的投影型显示装置等的电光装置具有在一个面is侧具备多个镜50的元件基板i,镜50由以包围镜50的方式粘接于元件基板i的一个面is侧的隔离片61和粘接于隔离片61的与元件基板i相反侧的端部的板状的透光罩71而被密封。
[0003]作为制造该电光装置的方法,提出了对在一个面1s侧具备镜50的第一晶圆粘接了使形成有贯穿孔的隔离片用晶圆和透光性晶圆重叠粘接的第二晶圆之后来分割第一晶圆和第二晶圆的方法(参照专利文献i)。根据该方法,由分割后的隔离片用晶圆形成隔离片61,由分割后的透光性晶圆形成透光罩71。
[0004]但是,根据专利文献i记载的制造方法,由于是隔离片61与透光罩71被粘接的构造,因此存在无法避免水分从隔离片61与透光罩71的边界67渗透这种问题。该水分的渗透是在驱动镜50时镜50在保持倾斜的状态下经由水滴被周围的构件所吸附的原因。该吸附由于是导致镜50变得无法移动等原因,因此并非优选。
[0005]鉴于以上的问题点,本发明的技术问题在于提供一种能够抑制水分经由隔离片与透光罩的边界向配置有镜的空间渗透的电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。
[0006]在先专利文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:美国专利us 685,6014 bi

【发明内容】

[0009]为了解决上述课题,本发明的电光装置的一个方式的特征在于具有:元件基板;镜,设于所述元件基板的第一面侧;驱动元件,设于所述元件基板的所述第一面侧,用于驱动所述镜;框状的隔离片,在俯视观察中包围在所述镜和所述驱动元件的周围,且第一端部固定于所述元件基板;透光罩,以所述镜位于所述元件基板与所述透光罩之间的方式设于所述第一面侧,其中,所述透光罩固定于所述隔离片的与所述第一端部相反侧的第二端部,并具有透光性;以及无机物层,覆盖所述隔离片与所述透光罩的边界。
[0010]在本发明中,设置有镜和驱动元件的元件基板的第一面侧由隔离片和透光罩密封,同时形成有覆盖隔离片与透光罩的边界的无机物层。因此,由无机物层能够抑制水分从隔离片与透光罩的边界渗透。因此,在驱动了镜时,难以发生镜在倾斜的状态下水滴被周围的构件吸附而变得无法移动等的不良情况。
[0011 ]在本发明中,所述无机物层能够采用从所述隔离片的与所述镜相反侧的外表面连续至所述透光罩的侧面的方式。根据该结构,能够准确地覆盖隔离片与透光罩的边界。
[0012]在本发明中,所述隔离片能够采用具备由所述透光罩的所述侧面朝向与所述镜相反侧突出的突出部,所述无机物层从所述隔离片的所述外表面经由所述突出部的与所述元件基板相对的面的相反侧的面连续至所述透光罩的所述侧面的方式。根据该结构,能够准确地覆盖隔离片与透光罩的边界。
[0013]在本发明中,所述透光罩也可以采用具备由所述隔离片的与所述镜相反侧的外表面朝向与所述镜相反侧突出的突出部,所述无机物层从所述隔离片的所述外表面连续至所述突出部的与所述元件基板相对的面的方式。根据该结构,能够准确地覆盖隔离片与透光罩的边界。
[0014]在本发明中,能够采用所述无机物层包含氧化铝层、氧化硅层和氮化硅层中的至少一层的方式。
[0015]本发明的电光装置的制造方法中,该电光装置的制造方法的特征在于具有:第一晶圆准备工序,准备在第一面侧的第一区域设置有第一镜和驱动所述第一镜的第一驱动元件、并在所述第一面侧的第二区域设置有第二镜和驱动所述第二镜的第二驱动元件的第一晶圆;第二晶圆形成工序,使透光性晶圆与隔离片用晶圆重叠并粘接,形成第二晶圆,所述第二晶圆具备设有贯穿所述隔离片用晶圆的第一凹部和第二凹部的第二面;粘接工序,以在俯视观察中所述第一凹部与所述第一镜重叠、在俯视观察中所述第二凹部与所述第二镜重叠的方式,使所述第一晶圆的所述第一面与所述第二晶圆的所述第二面重叠并粘接;以及分割工序,在所述第一区域与所述第二区域之间分割所述第一晶圆与所述第二晶圆的层叠体,在进行所述分割工序之前,在槽内进行形成覆盖所述透光性晶圆和所述隔离片用晶圆的边界的无机物层的无机物层形成工序。
[0016]在本发明中,在分割第一晶圆和第二晶圆的层叠体并得到电光装置时,在对层叠体的分割工序之前,在槽内进行形成覆盖透光性晶圆与隔离片用晶圆的边界的无机物层的无机物层形成工序。因此,能够制造在隔离片的与镜相反侧的外表面和透光罩的侧面形成有覆盖隔离片与透光罩的边界的无机物层的电光装置。在该电光装置中,由无机物层能够抑制水分从罩部与隔离片的边界渗透。因此,在驱动了镜时,难以发生镜在保持倾斜的状态下水滴被周围的构件吸附而变得无法移动等的不良情况。
[0017]本发明的电光装置的制造方法中,在所述第二晶圆形成工序中,能够采用形成在所述第一凹部与所述第二凹部之间设置有槽的所述第二晶圆的方式。
[0018]本发明的电光装置的制造方法中,在所述第二晶圆形成工序中,优选在重叠并粘接所述透光性晶圆与所述隔离片用晶圆之前,以贯穿所述隔离片用晶圆的方式预先形成所述槽。根据该结构,由于在透光性晶圆与隔离片用晶圆之间不存在粘接层,因此能够利用普通的蚀刻进行后面详述的贯穿工序。
[0019]本发明的电光装置的制造方法中,能够采用在所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前,进行除去所述槽的底部并使所述槽贯穿至与所述第二晶圆的所述第二面相反侧的所述第二晶圆的第三面的贯穿工序,在所述贯穿工序之后、且在所述分割工序之前,从所述第三面侧对所述槽的内部进行所述无机物层形成工序的方式。
[0020]本发明的电光装置的制造方法中,也可以采用在所述第二晶圆形成工序之后、且在所述粘接工序之前,进行除去所述槽的底部并使所述槽贯穿至与所述第二晶圆的所述第二面相反侧的所述第二晶圆的第三面的贯穿工序,在所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前,从所述第三面侧对所述槽的内部进行所述无机物层形成工序的方式。
[0021]本发明的电光装置的制造方法中,也可以采用在所述粘接工序之前,进行除去所述槽的底部并使所述槽贯穿至与所述第二晶圆的所述第二面相反侧的所述第二晶圆的第三面的贯穿工序,在所述贯穿工序之后、且在所述粘接工序之前,从所述第三面侧对所述槽的内部进行所述无机物层形成工序的方式。
[0022]本发明的电光装置的制造方法中,优选在所述第二晶圆形成工序中,以贯穿所述隔离片用晶圆的方式形成所述槽,在所述贯穿工序中,以宽度宽于所述槽的宽度除去所述透光性晶圆。根据该结构,在隔离片用晶圆与透光性晶圆的边界,在槽内透光性晶圆为由隔离片用晶圆向槽侧突出的形状,因此在无机物层形成工序中从第三面侧形成有无机物层时,无机物层准确地覆盖隔离片用晶圆与透光性晶圆的边界。
[0023]本发明的电光装置的制造方法中,优选在所述无机物层形成工序和所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前,对所述第二晶圆的所述第三面进行磨削或研磨,从所述第三面除去所述无机物层。根据该结构,能够容易地回避无机物层残留在透光罩的表面。
[0024]本发明的电光装置的制造方法中,优选在所述无机物层形成工序中,在所述第一晶圆的所述第一区域与所述第二区域之间的所述第一面侧形成所述无机物层的第一部分,在所述无机物层形成工序和所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前,在形成有蚀刻掩模的状态下除去所述无机物层的所述第一部分。根据该结构,在第一晶圆中在俯视观察下即使与槽重叠的位置形成有端子时,也能够从端子的表面除去无机物层。
[0025]本发明的电光装置的制造方法中,能够采用在所述贯穿工序中,通过切割刀片而除去所述槽的底部的方式。
[0026]本发明的电光装置的制造方法中,也可以采用在所述贯穿工序中,通过蚀刻而除去所述槽的底部的方式。
[0027]本发明的电光装置的制造方法中,也可以采用在所述粘接工序之后、且在进行除去所述槽的底部并使所述槽贯穿至由与所述第二晶圆的所述第二面相反侧的面所构成的第三面的贯穿工序之前,对所述槽的内部进行所述无机物层形成工序的方式。
[0028]在该情况下,优选在所述无机物层形成工序中,在所述第一晶圆的所述第一区域与所述第二区域之间的所述第一面侧形成所述无机物层的第一部分,在所述贯穿工序中,由切割刀片从所述第二晶圆的所述第三面除去所述槽的底部,在所述贯穿工序之后、且在所述分割工序之前,进行对所述无机物层进行蚀刻而除去形成于所述第一晶圆的所述无机物层的所述第一部分的蚀刻工序。根据该结构,在第一晶圆中在俯视观察下即使在与槽重叠的位置形成有端子时,也能够从端子的表面除去无机物层。
[0029]在本发明中,优选所述切割刀片的厚度比由形成于所述槽的相对的内壁上的所述无机物层所夹的间隙的间隔窄,在所述蚀刻工序中,将所述透光性晶圆作为掩模进行蚀刻并除去所述无机物层的所述第一部分。根据该结构,透光性晶圆为向槽内突出的构造,因此即使不另外设置蚀刻掩模也能够选择性地对形成于第一晶圆上的无机物层进行蚀刻。
[0030]在本发明中,优选在所述第一晶圆上与所述槽重叠的区域形成有端子,所述切割刀片的厚度比形成有所述端子的区域的宽度厚。根据该结构,在第一晶圆中能够准确地除去形成于端子的表面的无机物层。
[0031]应用本发明的电光装置能够用于各种电子设备,在该情况下,在电子设备上设置向所述镜照射光源光的光源部。另外,将投影型显示装置作为电子设备而构成的情况下,在电子设备上进一步地设置投影由所述镜调制了的光的投影光学系统。
【附图说明】
[0032]图1是示出作为应用本发明的电子设备的投影型显示装置的光学系统的示意图。
[0033]图2的(a)和(b)是示意性地示出应用本发明的电光装置的基本结构的说明图。
[0034]图3的(a)和(b)是示意性地示出应用本发明的电光装置的主要部分的a-a’截面的说明图。
[0035]图4的(a)和(b)是示出本发明的实施方式一的电光装置的详细结构的说明图。
[0036]图5的(a)至(c)是示出使用于本发明的实施方式一的电光装置的第一晶圆等的制造方法的工序图。
[0037]图6的(a)至(e)是示出本发明的实施方式一的电光装置的制造方法的工序图。
[0038]图7的(a)至(e)是示出在制造本发明的实施方式一的电光装置时除去多余的无机物层的方法的工序截面图。
[0039]图8的(a)至(c)是示出在制造本发明的实施方式一的电光装置时通过安装基板与密封树脂而密封元件基板的方法的工序截面图。
[0040]图9是本发明的实施方式二的电光装置的截面图。
[0041]图10的(a)至(d)是示出本发明的实施方式二的电光装置的制造方法的工序截面图。
[0042]图11的(a)至(e)是示出本发明的实施方式三的电光装置的制造方法的工序截面图。
[0043]图12的(a)至(d)是示出本发明的实施方式四的电光装置的制造方法的工序截面图。
[0044]图13是本发明的实施方式五的电光装置的截面图。
[0045]图14的(a)至(e)是示出本发明的实施方式五的电光装置的制造方法的工序截面图。
[0046]图15的(a)和(b)是在制造本发明的实施方式五的电光装置时所进行的贯穿工序等的说明图。
[0047]图16是示出本发明的参考例的电光装置的制造方法的工序截面图。
[0048]符号说明:
[0049]i元件基板;is—个面(第一面);10第一晶圆;1s—个面(第一面);17端子;20第二晶圆;20s第二面;20t第三面;21凹部;22槽;30驱动元件;32、33高架寻址电极;35枢纽;41第一晶圆用切割刀片;42第二晶圆用切割刀片;50镜;60隔离片用晶圆;61隔离片;61w隔离片的外表面;64突出部;67边界;70透光性晶圆;71透光罩;71w透光罩的侧面;74突出部;77、78台阶部;81无机阻挡层(无机物层);100电光装置;111研磨机;130层叠体;1000投影型显示装置(电子设备);1002光源部;1004投影光学系统;1030彩色滤色片
【具体实施方式】
[0050]参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外,在以下的说明中,作为应用本发明的电子设备对投影型显示装置进行说明。另外,在以下的说明中所参照的附图中,使各层、各构件不同地缩小尺寸,以使各层、各构件在附图上为能够识别的程度的大小。另外,附图示出的镜等的数量以能够在附图上识别的程度的大小进行了设定,但是也可以设置比该附图中所示的数量多的镜等。另外,在以下的方式中,可以是包含例如记载为“配置于第一面侦γ的情况;以与第一面接触的方式而配置的情况;或者经由其他结构物而配置于第一面的情况;或者以一部分与第一面接触的方式而配置于第一面、一部分经由其他结构物配置于第一面的情况。
[0051 ]实施方式一
[0052]作为电子设备的投影型显示装置
[0053]图1是示出作为应用于本发明的电子设备的投影型显示装置的光学系统的示意图。图1所示的投影型显示装置1000具有光源部1002、对应于图像信息对从光源部1002射出的光进行调制的电光装置100、和将被电光装置100调制了的光作为投影图像投影到屏幕等的被投影物1100上的投影光学系统1004。光源部1002具备光源1020和彩色滤色片(colorfilter)1030。光源1020射出白色光,彩色滤色片1030随着旋转发射各色的光,电光装置100在与彩色滤色片1030的旋转同步的定时(timing)调制所入射的光。另外,也可以取代彩色滤色片1030而使用将从光源1020射出的光转换为各色的光的荧光体基板。另外,也可以对每种各色的光设置光源部1002与电光装置100。
[0054]电光装置100的基本结构
[0055]图2是示意性地示出应用本发明的电光装置100的基本结构的说明图,图2的(a)、(b)分别是示出电光装置100的主要部分的说明图以及电光装置100的主要部分的分解透视图。图3是示意性地示出应用本发明的电光装置100的主要部分的a-a’截面的说明图,图3的
(a)、(b)分别是示意性地示出镜向一方侧倾斜的状态的说明图以及示意性地示出镜向另一方侧倾斜的状态的说明图。
[0056]如图2以及图3所示,电光装置100在元件基板i的一个面is(第一面)侧呈矩阵状配置有多个镜50,镜50离开元件基板i。元件基板i例如是硅基板。镜50例如是一边的长度具有例如是ιομπι?30μπι的平面尺寸的微镜。镜50例如具有从800 x 600到1028 x 1024的排列而被配置,一个镜50与图像的一像素对应。
[0057]镜50的表面为由铝等的反射金属膜构成的反射面。电光装置100具备一阶部分100a、二阶部分100b、和三阶部分100c,该一阶部分10a包含形成于元件基板i的一个面is上的基板侧偏压电极11以及基板侧寻址电极(address electrode) 12、13等,该二阶部分10b包含高架寻址电极32、33以及枢纽(hinge)35,该三阶部分10c包含镜50。在一阶部分10a中,元件基板i上形成有寻址指定电路14。寻址指定电路14具备用于选择性地控制各镜50的动作的存储器单元、字线、位线的布线15等,具有与具备cmos电路16的ram(randomaccess memory:随机存储器)类似的电路结构。
[0058]二阶部分10b包含高架寻址电极32、33、枢纽(hinge)35以及镜柱51。高架寻址电极32、33经由电极柱321、331与基板侧寻址电极12、13导通,同时支承于基板侧寻址电极12、
13。枢纽臂36、37从枢纽35的两端延伸。枢纽臂36、37经由臂柱39与基板侧偏压电极11导通,同时支承于基板侧偏压电极11。镜50经由镜柱51与枢纽35导通,同时支承于枢纽35。因此,镜50经由镜柱51、枢纽35、枢纽臂36、37、臂柱39与基板侧偏压电极11导通,并从基板侧偏压电极11被施加偏置电压。另外,在枢纽臂36、37的前端形成有挡板(stopper)361、362、371、372,当镜50倾斜时相抵接而防止镜50与高架寻址电极32、33的接触。
[0059]高架寻址电极32、33构成为与镜50之间产生静电力并以使镜50倾斜的方式进行驱动的驱动元件30。另外,基板侧寻址电极12、13也存在构成为与镜50之间产生静电力并以使镜50倾斜的方式进行驱动的情况,该情况下,驱动元件30为由高架寻址电极32、33以及基板侧寻址电极12、13构成。如图3所示,对高架寻址电极32、33施加驱动电压,当镜50以被吸引到高架寻址电极32或高架寻址电极33的方式倾斜时,枢纽35扭转而停止对高架寻址电极32、33的驱动电压的施加并使对镜50的吸引力消失时发挥使镜50恢复到与元件基板i平行的姿势的力。
[0060]例如图3的(a)所示,在电光装置100中,镜50向一方侧的高架寻址电极32侧倾斜时,从光源部1002射出的光成为通过镜50朝向投影光学系统1004反射的开状态。与此相对,如图3的(b)所示,镜50向另一方侧的高架寻址电极33侧倾斜时,从光源部1002射出的光成为由镜50朝向光吸收装置1005反射的关状态,在该关状态下,不会朝向透射光学系统1004发射光。该驱动利用多个镜50分别进行的结果,从光源部1002射出的光利用多个镜50被调制为图像光并从投影光学系统1004被投影,从而显示图像。
[0061 ]另外,与基板侧寻址电极12、13相对的平板状的轭(yoke)和枢纽35—体设置,除了高架寻址电极32、33与镜50之间产生的静电力之外,有时也利用作用于基板侧寻址电极12、13与轭之间的静电力驱动镜50。
[0062]电光装置100以及无机阻挡层81的构造
[0063]图4是示出本发明的实施方式一的电光装置100的详细结构的说明图,图4的(a)、(b)是电光装置100的俯视观察中以及沿α1-αγ截面图。
[0064]图4是应用于本发明的电光装置100整体的截面图。另外,在图4的(b)中,减少镜50的数量并使五个镜50形成在一块元件基板i上予以示出。
[0065]如图4所示,在本实施方式的电光装置100中,形成有参照图2以及图3所说明的多个镜50的元件基板i的一个面is由框状的隔离片61以及平板状的透光罩71密封,透光罩71在相对镜50隔开预定的距离的位置上与镜50的表面相对。在此,隔离片61在元件基板i侧的端部61e连续于元件基板i。另外,透光罩71连续于隔离片61的与元件基板i侧的端部61e(第一端部)相反侧的端部61f(第二端部),相对镜50的表面在与元件基板i相反侧相对。在此,透光罩71具有透光性,镜50以位于元件基板i与透光罩71的一部分之间的方式被设于一个面is侧。在该状态下,透光罩71与元件基板i以及隔离片61包围配置有镜50的空间。光透过透光罩71入射到镜50之后,由镜50反射的光透过透光罩71而被发射。在本实施方式中,透光罩71是玻璃制。隔离片61可以是玻璃制、硅制、金属制、树脂制中任一种,在本实施方式中使用了玻璃基板、硅基板作为隔离片61。在本实施方式中,配置有镜50的空间采用存在空气的结构、取代空气而填充有惰性气体等的结构、或者为真空的结构。在本实施方式中,配置有镜50的空间为真空。
[0066]隔离片61以及透光罩71都是平面形状是四边形,且尺寸相等。因此,构成了隔离片61的位于与镜50相反侧的外表面61w和透光罩71的侧面71w连续的平面。
[0067]在这样构成的电光装置100中,隔离片61与透光罩71是分体设置,因此在隔离片61与透光罩71之间存在边界67。在此,隔离片61的外表面61w与透光罩71的侧面71w上形成有无机阻挡层81(无机物层),由该无机阻挡层81将隔离片61与透光罩71之间的边界67从与镜50相反侧(外侧)覆盖。在此,隔离片61的外表面61w可以是连续隔离片61在元件基板i侧的端部61e与其相反侧的端部61f的面,指与镜50相反侧的面、透光罩71的侧面可以是指连续透光罩71的与镜50相对的面和其相反侧的面的面。在本实施方式中,无机阻挡层81可以形成于隔离片61的外表面61w的整面以及透光罩71的侧面71w的整面,从隔离片61的外表面61w连续至透光罩71的侧面71w。
[0068]无机阻挡层由氧化铝层、氧化硅层以及氮化硅层的单层膜或多个层叠膜构成,包含氧化铝层、氧化硅层以及氮化硅层中的至少一层。
[0069]安装基板90等的密封构造
[°07°] 在本实施方式的电光装置100中,配置有镜50的空间由隔离片61和透光罩71密封,同时也由安装基板90、密封树脂98密封。更具体地,元件基板i固定于由陶瓷基板等构成的安装基板90的基板安装部93,此后,由环氧类等的密封树脂98密封。在安装基板90中,基板安装部93为被侧板部92包围的有底的凹部,元件基板i由粘接剂97固定于安装基板90的底板部91。
[0071]在元件基板i的一个面is中,俯视观察中(例如从一个面is侧观察元件基板i时的俯视观察中)与镜50不重叠的端部上形成有多个端子17。在本实施方式中,端子17以夹着镜50的方式被配置成两列。多个端子17的一部分经由参照图2以及图3所说明的寻址指定电路14和基板侧寻址电极12、13电连接于高架寻址电极32、33(驱动元件30)。多个端子17的另一部分经由参照图2以及图3所说明的寻址指定电路14、基板侧偏压电极11以及枢纽35电连接于镜50。多个端子17的再一部分与设于参照图2以及图3所说明的寻址指定电路14的前段的驱动电路等电连接。
[0072]在此,端子17由引线键合(wire bonding)用的引线99与形成于安装基板90的底板部91在元件基板i侧的内面91s上的内部电极94电连接。安装基板90的底板部91为多层布线基板,内部电极94经由形成于底板部91的通孔和布线所构成的多层布线部95而与形成于底板部91的与元件基板i相反侧的外表面91t上的外部电极96导通。
[0073]在该安装基板90的侧板部92的内侧(凹部)设置有密封树脂98。密封树脂98覆盖元件基板i的周围以及隔离片61的周围,同时覆盖透光罩71的侧面至厚度方向的中途。
[0074]电光装置100的制造方法
[0075]参照图5、图6、图7以及图8说明本发明的实施方式一的电光装置100的制造方法。图5是示出使用于本发明的实施方式一的电光装置100的第一晶圆10等的制造方法的工序图,图5的(b)?(f)示出各工序中晶圆的俯视观察中,同时在俯视观察中的下段中示出了切割端面图。图6是示出本发明的实施方式一的电光装置100的制造方法的工序图。图7是示出在制造本发明的实施方式一的电光装置100时除去多余的无机阻挡层81的方法的工序截面图。图8是示出在制造本发明的实施方式一的电光装置100时由安装基板90以及密封树脂98密封元件基板i的方法的工序截面图。另外,在图5的(c)中省略镜50等的图示仅示出端子17,在图6?图8中,相比于图4减少镜50的数量并使三个镜50形成在一块元件基板i上予以示出。
[0076]本实施方式中,从晶圆能够批量获取多个元件基板i等。因此,在以下的说明中,批量获取的多个元件基板i之中,对形成于所得到的一个基板的区域中的镜50以及端子17分别作为第一镜50a以及第一端子17a进行说明等,在各符号的后面标注a来说明。另外,多个元件基板i之中,对形成于与形成有第一镜50a以及第一端子17a的区域相邻的区域中的镜50以及端子17分别作为第二镜50b以及第二端子17b进行说明等,在各符号的后面标注b来说明。但是,在没有必要特定是哪一个元件基板i的情况下,不标注上述a、b来说明。
[0077]如图5的(a)、(c)所示,为了制造本实施方式的电光装置100,在第一晶圆准备工序中对能够批量获取元件基板i的大型的第一晶圆10的一个面10s(第一面),在元件基板i被分割的每个区域形成镜50,同时对俯视观察中(例如从一个面1s侧观察第一晶圆10时的俯视观察中)与镜50相邻的位置上形成有电连接于驱动镜50的驱动元件30(参照图2以及图3)的端子17的第一晶圆10进行准备。例如图5的(a)、(b)、(c)所示,对能够批量获取元件基板i的大型的第一晶圆10的一个面10s,在元件基板i被分割的每个区域形成镜50,同时俯视观察中与镜50相邻的位置上形成与驱动镜50的驱动元件30(参照图2以及图3)电连接的端子17,从而可以准备第一晶圆10。其结果,在第一晶圆10的一个面1s上,在第一区域1a形成第一镜50a以及驱动第一镜50a的驱动元件30(第一驱动元件),同时俯视观察中与第一镜50a相邻的位置形成第一端子17a。另外,在第一晶圆10的一个面1s上,相对第一端子17a在与第一镜50a相反侧形成第二镜50b,同时在第一端子17a与第二镜50b之间形成第二端子17b。另外,第二镜50b以及驱动第二镜50b的驱动元件30(第二驱动元件)形成于一个面1s的第二区域10b。
[0078]另外,如图5的(a)所示,在第二晶圆形成工序中准备能够批量获取隔离片61以及具有透光性的透光罩71的大型的第二晶圆20。在由第二晶圆20的一个面所构成的第二面20s中,在隔离片61以及透光罩71被分割的每个区域形成有底部是透光性的凹部21,同时形成有在彼此直角交叉的两方向上延伸并分别包围多个凹部21的有底的槽22。多个凹部21中的一个是第一凹部21a,与第一凹部21a相邻的凹部21是第二凹部21b。因此,在第二晶圆20的第二面20s上形成底部是透光性的第一凹部21a、底部是透光性的第二凹部21b以及沿第一凹部21a与第二凹部21b之间延伸的有底的槽22。
[0079]在形成该第二晶圆20时,在第二晶圆形成工序中,例如进行图5的(d)?(f)中所示的工序。首先,如图5的(d)所示,准备能够批量获取透光罩71的透光性晶圆70。另外,如图5的(e)所示,准备能够批量获取隔离片61的隔离片用晶圆60之后,在第一工序中,由蚀刻(etching)等的处理在隔离片用晶圆60上形成用于构成凹部21的贯穿孔66。多个贯穿孔66的一个是用于构成第一凹部2 ia的第一贯穿孔66a,与第一贯穿孔66a相邻的贯穿孔66是用于构成第二凹部21b的第二贯穿孔66b。另外,在隔离片用晶圆60的一个面60s上,由蚀刻等的处理形成在彼此直角交叉的两方向上延伸并分别包围多个凹部21的有底的槽22。
[0080]本实施方式中,由蚀刻同时形成贯穿孔66以及槽22。因此,槽22与贯穿孔66同样地贯穿隔离片用晶圆60。因此,以由槽22所包围的区域不分离的方式,被贯穿孔66和槽22所夹着的框部65相对隔离片用晶圆60的环状的外框部69由连结部98等连续。根据该结构,由于在透光性晶圆70与隔离片用晶圆60之间不存在粘接层,因此能够利用普通的蚀刻进行后面详述的贯穿工序。但是,根据后面详述的制造方法,由半蚀刻(half etching)也可以使有底的槽22形成在隔离片用晶圆60。
[0081]接下来,如图5的(f)所示,在第二工序中,使透光性晶圆70重叠粘接于与隔离片用晶圆60的一个面60s相反侧的另一个面60t。其结果,形成层叠有隔离片用晶圆60和透光性晶圆70的第二晶圆20,在该第二晶圆20中,由隔离片用晶圆60构成第二晶圆20的第二面20s,由透光性晶圆70构成第二晶圆20的第三面20t。另外,贯穿孔66的一方的开口部由透光性晶圆70封住,成为底部是透光性的凹部21(第一凹部21a以及第二凹部21b)。另外,槽22也成为具有底部221。本实施方式中使用了圆形形状的晶圆,但是对于其平面形状,也可以使用矩形等。
[0082]接下来,图6的(a)所示的粘接工序中,俯视观察中(例如从一个面1s侧观察第一晶圆10时的俯视观察中)以凹部21与镜50重叠、槽22与端子17重叠的方式使第一晶圆10的一个面1s与第二晶圆20的第二面20s粘接。其结果,俯视观察中第一凹部21a与第一镜50a重叠,俯视观察中第二凹部21b与第二镜50b重叠,俯视观察中共用的槽22与第一端子17a、第二端子17b以及被第一端子17a和第二端子17b所夹着的区域重叠。该状态下,在第二晶圆20中被第一凹部21a和槽22所夹着的框部65被粘接于第一镜50a与第一端子17a之间,在第二晶圆20中被第二凹部21b和槽22所夹着的框部65被粘接于第二镜50b与第二端子17b之间。因此,第一端子17a以及第二端子17b未与第二晶圆20粘接。
[0083]接下来,在图6的(b)所示的贯穿工序中,除去第二晶圆20的槽22的底部221并使槽22贯穿至第二晶圆20的第三面20t。其结果,在第一区域1a与第二区域1b之间,第二晶圆20被分割。本实施方式中,由于槽22的底部221上仅存在透光性晶圆70,因此除去位于底部221的透光性晶圆70。本实施方式中,使第二晶圆用切割刀片(dicing blade)42从第二晶圆20的第三面20t朝向槽22进入,分割透光性晶圆70。其结果,第二晶圆20之中,由从透光性晶圆70被分割的平板部分构成透光罩71,由从隔离片用晶圆60被分割的框部分构成隔离片61。本实施方式中,第二晶圆用切割刀片42的厚度与槽22的宽度相等。
[0084]接下来,在图6的(c)所示的无机阻挡层形成工序中,从第二晶圆20的第三面20t侧朝向所贯穿的槽22的内部将无机阻挡层81成膜。本实施方式中,在第二晶圆20的第三面20t侧的整体上形成无机阻挡层81。其结果,在隔离片61的外表面61w以及透光罩71的侧面71w上形成无机阻挡层81,边界67由无机阻挡层81覆盖。无机阻挡层81的形成能够采用cvd法、蒸镀法、溅射法等,但是考虑到向槽22的内部的布散性,优选cvd法。
[0085]在此,如图6的(c)以及图7的(a)所示,无机阻挡层81也形成于透光罩71的表面,同时在元件基板i中也形成于设于与槽22重叠的位置的端子17的表面。其结果,在一个面1s的第一区域1a与第二区域1b之间形成无机阻挡层81的一部分81a(第一部分)。因此,本实施方式中,由图7的(b)?(e)所示的工序从透光罩71的表面以及元件基板i的与槽22重叠的位置除去无机阻挡层81。
[0086]首先,如图7的(b)所示,在使抗蚀剂掩模(resist mask) 101形成在透光罩71的表面的状态下,如图7的(c)所示,进行各向异性蚀刻(干式蚀刻),如图7的⑷所示,在元件基板i中从与槽22重叠的区域除去无机阻挡层81而使端子17露出。其结果,除去形成于一个面1s的第一区域1a与第二区域1b之间的无机阻挡层81的一部分81a。接下来,如图7的(d)所示,除去抗蚀剂掩模101之后,如图7的(e)所示,由磨削、研磨除去形成于透光罩71的表面的无机阻挡层81。本实施方式中,由研磨机111的磨削,通过磨削、研磨除去形成于透光罩71的表面的无机阻挡层81。其结果,如图6的(d)所示,仅在隔离片61的外表面61w以及透光罩71的侧面71w上残留无机阻挡层81。
[0087]接下来,在分割工序中,如图6的(e)所示,由第一晶圆用切割刀片41在第一晶圆10中沿槽22切割第一晶圆10。其结果,在第一区域1a与第二区域1b之间,第一晶圆10被分害j。本实施方式中,使第一晶圆用切割刀片41相对第一晶圆10从第二晶圆20侧进入第二晶圆20的切断位置(相邻的透光罩71之间以及相邻的隔离片61之间)而切割第一晶圆10。其结果,第一晶圆10与第二晶圆20的层叠体130被分割,制造出多个电光装置100。进一步地如图4所示,对该电光装置100由安装基板90以及密封树脂98密封的情况下,进行图8所示的工序。
[0088]首先,如图8的(a)所示,准备基板安装部93为被侧板部92包围的凹部的安装基板90之后,如图8的(b)所示,由粘接剂97将元件基板i固定于基板安装部93的底部。接下来,如图8的(c)所示,元件基板i的端子17与安装基板90的内部电极94由引线键合用的引线99电连接。接下来,如图4所示,在向安装基板90的侧板部92的内侧注入密封树脂98之后使密封树脂98固化,由密封树脂98密封元件基板i。其结果,能够得到由隔离片61、透光罩71、安装基板90以及密封树脂98密封的元件基板i的电光装置100。
[0089]本实施方式的主要效果
[0090]如以上说明的那样,本实施方式中,设置有镜50以及驱动元件30的元件基板i的一个面is侧由隔离片61和透光罩71密封,在隔离片61的与镜50相反侧的外表面61w以及透光罩71的侧面71w上形成有覆盖隔离片61与透光罩71的边界67的无机阻挡层81。因此,由无机阻挡层81能够抑制水分从隔离片61与透光罩71的边界67渗透。因此,在驱动了镜50时,难以发生由水滴使镜50在保持倾斜的状态下被周围的构件吸附而变得无法移动等的不良情况。
[0091]实施方式二
[0092]图9是本发明的实施方式二的电光装置100的截面图。图10是示出本发明的实施方式二的电光装置100的制造方法的工序截面图。另外,本实施方式以及后面详述的各实施方式的基本的结构与实施方式一相同,因此对共用的部分标注相同符号并省略它们的说明。
[0093]如图9所示,本实施方式的电光装置100中也与实施方式一相同,在隔离片61的外表面61w以及透光罩71的侧面71w上形成有无机阻挡层81,由该无机阻挡层81覆盖了隔离片61与透光罩71的边界67。
[0094]在此,隔离片61具备由透光罩71的侧面71w朝向与镜50相反侧突出的突出部64,隔离片61与透光罩71的边界67位于朝向与元件基板i相反侧的台阶部77。另外,无机阻挡层81从隔离片61的外表面61w经过与隔离片61的突出部64的与元件基板i相对的面相反侧的面连续至透光罩71的侧面71w。因此,由无机阻挡层81能够准确地覆盖边界67,从而水分从边界67难以渗透配置有镜50的空间。
[0095]该结构的电光装置100,在参照图6的(b)所说明的贯穿工序中,在使贯穿槽22的底部221时,如图10的(b)所示,能够由以比形成于隔离片用晶圆60的槽22的宽度宽的宽度除去透光性晶圆70而构成。
[0096]本实施方式中,由蚀刻进行贯穿工序。因此,本实施方式中,首先,如图10的(a)所示,在第二晶圆20的第三面20t上形成抗蚀剂掩模102。此时,以抗蚀剂掩模102的端部102e与用于形成隔离片61的框部65的宽度方向的中途位置重叠的方式形成抗蚀剂掩模102。
[0097]在该状态下进行蚀刻时,如图10的(b)所示,隔离片61成为具有由透光罩71的侧面71w朝向与镜50相反侧突出的突出部64的形状,隔离片61与透光罩71的边界67位于朝向与元件基板i相反侧(第二晶圆20的第三面20t)的台阶部77。接下来,如图10的(c)所示,除去抗蚀剂掩模102之后,进行图10的(d)所示的无机阻挡层形成工序,从第二晶圆20的第三面20t侧在槽22的内侧形成无机阻挡层81。这之后的工序与实施方式一相同,因此省略说明。
[0098]另外,本实施方式中,槽22与贯穿孔66同样地贯穿隔离片用晶圆60。因此,在贯穿工序中进行蚀刻时,在槽22的底部221上透光性晶圆70与隔离片用晶圆60之间不存在粘接层。由此,在贯穿工序中,只要仅对透光性晶圆70进行蚀刻即可,因此能够顺畅地进行蚀刻。
[0099]实施方式三
[0100]图11是示出本发明的实施方式三的电光装置100的制造方法的工序截面图。本实施方式中,由参照图11说明的方法制造参照图9所说明的电光装置100。本实施方式中,在参照图5所说明的第二晶圆形成工序之后,在参照图6的(a)所说明的粘接工序之前,进行除去槽22的底部221并使槽22贯穿至第二晶圆20的第三面20t的贯穿工序。另外,在粘接工序之后,在分割工序之前,从第二晶圆20的第三面20t侧对槽22的内部进行无机阻挡层形成工序。
[0101]更具体地,如图11的(a)所示,形成第二晶圆20之后,在贯穿工序中,在第三面20t上形成抗蚀剂掩模103。此时,以抗蚀剂掩模103的端部103e与用于形成隔离片61的框部65的宽度方向的中途位置重叠的方式形成抗蚀剂掩模103。在该状态下进行蚀刻时,如图11的(b)所示,槽22的底部221被除去,槽22贯穿至第二晶圆20的第三面20t。其结果,在第二晶圆20之中,由从透光性晶圆70被分割的平板部分构成透光罩71,由从隔离片用晶圆60被分割的框部分构成隔离片61。另外,由于以比隔离片用晶圆60宽的宽度除去透光性晶圆70侧,因此隔离片61成为由透光罩71的侧面71w朝向与镜50相反侧突出的形状。另外,本实施方式中,以透光性晶圆70以及隔离片用晶圆60不被完全分割的方式,预留有图5的(e)所示的连结部68。
[0102]接下来,如图11的(c)所示,除去抗蚀剂掩模103之后,在图11的(d)所示的粘接工序中,使第二晶圆20的第二面20s与第一晶圆10的一个面1s粘接。接下来,进行图11的(e)所示的无机阻挡层形成工序,从第二晶圆20的第三面20t侧在槽22的内侧形成无机阻挡层81。这之后的工序与实施方式一相同,因此省略说明。
[0103]另外,本实施方式中,槽22与贯穿孔66同样地贯穿隔离片用晶圆60。因此,在贯穿工序中进行蚀刻时,在槽22的底部221上透光性晶圆70与隔离片用晶圆60之间不存在粘接层。由此,在贯穿工序中,只要仅对透光性晶圆70进行蚀刻即可,因此能够顺畅地进行蚀刻。
[0104]实施方式四
[0105]图12是示出本发明的实施方式四的电光装置100的制造方法的工序截面图。本实施方式中,由参照图12说明的方法制造参照图9所说明的电光装置100。本实施方式中,在参照图6的(a)所说明的粘接工序之前,进行除去槽22的底部221并使槽22贯穿至第二晶圆20的第三面20t的贯穿工序。另外,在贯穿工序之后,在粘接工序之前,从第二晶圆20的第三面20t侧对槽22的内部进行无机阻挡层形成工序。
[0106]更具体地,如图12的(a)所示,形成第二晶圆20之后,在贯穿工序中,在第三面20t上形成抗蚀剂掩模103。此时,以抗蚀剂掩模103的端部103e与用于形成隔离片61的框部65的宽度方向的中途位置重叠的方式形成抗蚀剂掩模103。在该状态下进行蚀刻时,如图12的
(b)所示,槽22的底部221被除去,槽22贯穿至第二晶圆20的第三面20t。其结果,在第二晶圆20之中,由从透光性晶圆70被分割的平板部分构成透光罩71,由从隔离片用晶圆60被分割的框部分构成隔离片61。另外,由于以比隔离片用晶圆60宽的宽度除去透光性晶圆70侧,因此隔离片61成为由透光罩71的侧面71w朝向与镜50相反侧突出的形状。另外,本实施方式中,以透光性晶圆70以及隔离片用晶圆60不被完全分割的方式,预留有图5的(e)所示的连结部68。以上工序与实施方式三相同。
[0107]接下来,如图12的(c)所示,除去抗蚀剂掩模103之后,进行图12的(c)所示的无机阻挡层形成工序,从第二晶圆20的第三面20t侧在槽22的内侧形成无机阻挡层81。
[0108]接下来,在图12的(d)所示的粘接工序中,使第二晶圆20的第二面20s与第一晶圆10的一个面1s粘接。这之后的工序与实施方式一相同,因此省略说明。
[0109]另外,本实施方式中,槽22与贯穿孔66同样地贯穿隔离片用晶圆60。因此,在贯穿工序中进行蚀刻时,在槽22的底部221上透光性晶圆70与隔离片用晶圆60之间不存在粘接层。由此,在贯穿工序中,只要仅对透光性晶圆70进行蚀刻即可,因此能够顺畅地进行蚀刻。
[0110]实施方式五
[0111]图13是本发明的实施方式五的电光装置100的截面图。图14是示出本发明的实施方式五的电光装置100的制造方法的工序截面图。图15是在制造本发明的实施方式五的电光装置100时所进行的贯穿工序等的说明图。
[0112]如图13所示,本实施方式的电光装置100中也与实施方式一相同,在隔离片61的外表面61w以及透光罩71上形成有无机阻挡层81,由该无机阻挡层81覆盖了隔离片61与透光罩71的边界67。
[0113]在此,透光罩71具备由隔离片61的外表面61w朝向与镜50相反侧突出的突出部74,隔离片61与透光罩71的边界67位于朝向元件基板i侧的台阶部78。另外,无机阻挡层81从隔离片61的外表面61w连续至透光罩71的突出部74的与元件基板i相对的面。因此,由无机阻挡层81能够准确地覆盖边界67,从而水分从边界67难以渗透配置有镜50的空间。
[0114]在制造该结构的电光装置100时,本实施方式中,在参照图6的(a)所说明的粘接工序之后,在进行贯穿工序、分割工序之前,对槽22的内部进行无机阻挡层形成工序。
[0115]更具体地,在图14的(a)所示的粘接工序中,与参照图6的(a)所说明的粘接工序相同,以俯视观察中(例如从一个面i os侧观察第一晶圆10时的俯视观察中)凹部21与镜50重叠、槽22与端子17重叠的方式使第一晶圆10的一个面1s与第二晶圆20的第二面20s粘接。
[0116]接下来,在图14的(b)所示的无机阻挡层形成工序中,在槽22的内部选择性地将无机阻挡层81成膜。因此,在第二晶圆20的第三面20t上未被形成无机阻挡层81。无机阻挡层81的形成能够采用ald(atimc layer deposit1n:原子层沉积)法、cvd法、蒸镀法等,但是在本实施方式中利用ald法。此时,以不使无机阻挡层81形成于第一晶圆10的外表面和第二晶圆20的第三面20t上的方式而预先覆盖工具等。
[0117]接下来,在图14的(c)所示的贯穿工序中,除去第二晶圆20的槽22的底部221并使槽22贯穿至第二晶圆20的第三面20t。本实施方式中,使第二晶圆用切割刀片42从第二晶圆
20的第三面20t朝向槽22进入,分割透光性晶圆70。其结果,在第一区域1a与第二区域1b之间,第二晶圆20被分割。另外,第二晶圆20之中,由从透光性晶圆70被分割的平板部分构成透光罩71,由从隔离片用晶圆60被分割的框部分构成隔离片61。
[0118]接下来,如图14的(d)所示,由图15的(a)、(b)所示的工序从元件基板i的与槽22重叠的位置除去无机阻挡层81。其结果,形成于一个面1s的第一区域1a与第二区域1b之间的无机阻挡层81的一部分81a被除去。
[0119]首先,如图15的(a)所示,贯穿工序中所使用的第二晶圆用切割刀片42的厚度wl比由形成于槽22的相相对的内壁上的无机阻挡层81所夹着的间隙的间隔w2窄。因此,透光罩71(透光性晶圆70)成为具备向槽22突出的突出部74的构造。因此,在该状态下只要进行各向异性蚀刻(干式蚀刻)则透光性晶圆70的突出部74(换言之,透光性晶圆70)会作为掩模发挥作用,因此即使不使用抗蚀剂掩模,也能够选择性地对形成于第一晶圆10的一个面1s上的无机阻挡层81进行蚀刻。此时,使第二晶圆用切割刀片42的厚度比形成有端子17的区域的宽度w3厚。因此,在第一晶圆10中,能够准确地除去形成于端子的表面上的无机阻挡层
81ο
[0120]接下来,在分割工序中,如图14的(e)所示,由第一晶圆用切割刀片41在第一晶圆1中沿槽22切割第一晶圆10。本实施方式中,使第一晶圆用切割刀片41相对第一晶圆10从第二晶圆20侧进入第二晶圆20的切断位置(相邻的透光罩71之间以及相邻的隔离片61之间)而切割第一晶圆10。其结果,在第一区域1a与第二区域1b之间,第二晶圆20被分割。另夕卜,第一晶圆10与第二晶圆20的层叠体130被分割,制造出多个电光装置100。进一步地如图13所示,对该电光装置100由安装基板90以及密封树脂98密封的情况下,进行参照图8所说明的工序。
【主权项】
1.一种电光装置,其特征在于, 具有: 元件基板; 镜,设于所述元件基板的第一面侧; 驱动元件,设于所述元件基板的所述第一面侧,用于驱动所述镜; 框状的隔离片,在俯视观察中包围在所述镜和所述驱动元件的周围,且第一端部固定于所述元件基板; 透光罩,以所述镜位于所述元件基板与所述透光罩之间的方式设于所述第一面侧,其中,所述透光罩固定于所述隔离片的与所述第一端部相反侧的第二端部,并具有透光性;以及 无机物层,覆盖所述隔离片与所述透光罩的边界。2.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于, 所述无机物层从所述隔离片的与所述镜相反侧的外表面连续至所述透光罩的侧面。3.根据权利要求2所述的电光装置,其特征在于, 所述隔离片具备由所述透光罩的所述侧面朝向与所述镜相反侧突出的突出部, 所述无机物层从所述隔离片的所述外表面经由所述突出部的与所述元件基板相对的面的相反侧的面连续至所述透光罩的所述侧面。4.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于, 所述透光罩具备由所述隔离片的与所述镜相反侧的外表面朝向与所述镜相反侧突出的突出部, 所述无机物层从所述隔离片的所述外表面连续至所述突出部的与所述元件基板相对的面。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电光装置,其特征在于, 所述无机物层包含氧化铝层、氧化硅层和氮化硅层中的至少一层。6.一种电光装置的制造方法,其特征在于, 具有: 第一晶圆准备工序,准备在第一面侧的第一区域设置有第一镜和驱动所述第一镜的第一驱动元件、并在所述第一面侧的第二区域设置有第二镜和驱动所述第二镜的第二驱动元件的第一晶圆; 第二晶圆形成工序,使透光性晶圆与隔离片用晶圆重叠并粘接,形成第二晶圆,所述第二晶圆具备设有贯穿所述隔离片用晶圆的第一凹部和第二凹部的第二面; 粘接工序,以在俯视观察中所述第一凹部与所述第一镜重叠、在俯视观察中所述第二凹部与所述第二镜重叠的方式,使所述第一晶圆的所述第一面与所述第二晶圆的所述第二面重叠并粘接;以及 分割工序,在所述第一区域与所述第二区域之间分割所述第一晶圆与所述第二晶圆的层叠体, 在进行所述分割工序之前,在槽内进行形成覆盖所述透光性晶圆和所述隔离片用晶圆的边界的无机物层的无机物层形成工序。7.根据权利要求6所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述第二晶圆形成工序中,形成在所述第一凹部与所述第二凹部之间设置有槽的所述第二晶圆。8.根据权利要求7所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述第二晶圆形成工序中,在重叠并粘接所述透光性晶圆与所述隔离片用晶圆之前,以贯穿所述隔离片用晶圆的方式预先形成所述槽。9.根据权利要求7或8所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前,进行除去所述槽的底部并使所述槽贯穿至与所述第二晶圆的所述第二面相反侧的所述第二晶圆的第三面的贯穿工序, 在所述贯穿工序之后、且在所述分割工序之前,从所述第三面侧对所述槽的内部进行所述无机物层形成工序。10.根据权利要求7或8所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述第二晶圆形成工序之后、且在所述粘接工序之前,进行除去所述槽的底部并使所述槽贯穿至与所述第二晶圆的所述第二面相反侧的所述第二晶圆的第三面的贯穿工序,在所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前,从所述第三面侧对所述槽的内部进行所述无机物层形成工序。11.根据权利要求7或8所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述粘接工序之前,进行除去所述槽的底部并使所述槽贯穿至与所述第二晶圆的所述第二面相反侧的所述第二晶圆的第三面的贯穿工序, 在所述贯穿工序之后、且在所述粘接工序之前,从所述第三面侧对所述槽的内部进行所述无机物层形成工序。12.根据权利要求9至11中任一项所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述第二晶圆形成工序中,以贯穿所述隔离片用晶圆的方式形成所述槽, 在所述贯穿工序中,以宽度宽于所述槽的宽度除去所述透光性晶圆。13.根据权利要求9至12中任一项所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述无机物层形成工序和所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前,对所述第二晶圆的所述第三面进行磨削或研磨,从所述第三面除去所述无机物层。14.根据权利要求9至13中任一项所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述无机物层形成工序中,在所述第一晶圆的所述第一区域与所述第二区域之间的所述第一面侧形成所述无机物层的第一部分, 在所述无机物层形成工序和所述粘接工序之后、且在所述分割工序之前,在形成有蚀刻掩模的状态下除去所述无机物层的所述第一部分。15.根据权利要求9至14中任一项所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述贯穿工序中,通过切割刀片而除去所述槽的底部。16.根据权利要求9至14中任一项所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述贯穿工序中,通过蚀刻而除去所述槽的底部。17.根据权利要求7或8所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述粘接工序之后、且在进行除去所述槽的底部并使所述槽贯穿至由与所述第二晶圆的所述第二面相反侧的面所构成的第三面的贯穿工序之前,对所述槽的内部进行所述无机物层形成工序。18.根据权利要求17所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述无机物层形成工序中,在所述第一晶圆的所述第一区域与所述第二区域之间的所述第一面侧形成所述无机物层的第一部分, 在所述贯穿工序中,由切割刀片从所述第二晶圆的所述第三面除去所述槽的底部,在所述贯穿工序之后、且在所述分割工序之前,进行对所述无机物层进行蚀刻而除去形成于所述第一晶圆的所述无机物层的所述第一部分的蚀刻工序。19.根据权利要求18所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 所述切割刀片的厚度比由形成于所述槽的相对的内壁上的所述无机物层所夹的间隙的间隔窄, 在所述蚀刻工序中,将所述透光性晶圆作为掩模进行蚀刻并除去所述无机物层的所述第一部分。20.根据权利要求19所述的电光装置的制造方法,其特征在于, 在所述第一晶圆上与所述槽重叠的区域形成有端子, 所述切割刀片的厚度比形成有所述端子的区域的宽度厚。21.—种电子设备,其特征在于, 该电子设备具备权利要求1至5中任一项所述的电光装置,并且, 该电子设备具有向所述镜照射光源光的光源部。
【文档编号】g02b26/08gk106019787sq201610165190
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月22日
【发明人】花冈辉直, 山田周平
【申请人】精工爱普生株式会社
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