技术编号：11233396
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种光罩结构以及使用所述光罩结构制备阵列基板的方法。背景技术3mask技术采用lift-off(剥离)工艺可以将ito(像素电极)层和pv(钝化层)层用一张光罩同时形成，从而使总光罩数量减小至三张(3mask)。传统的3mask制程多数只针对tn模式，ito并不形成狭缝图形；或者ito形成狭缝图形，但因ito只能沉积于挖洞处，使所有ito层都处在sinx(氮化硅)的凹槽中，ito横向电场减弱，影响液晶显示效果，形成显示画面亮度不均匀的缺陷；随着技术的发展，改进...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。